研究院（CHIPX）迎来重要里程碑：国内首个光子芯片中试线英寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，一起完结超低损耗、超高带宽的高功能薄膜铌酸锂

  该效果标志着我国在高端光电子中心器材范畴完结从“技能跟跑”到“工业领跑”的历史性跨过，为量子科技自主可控开展注入微弱动能。

  上海交大无锡光子芯片研究院自2022年12月发动国内首条光子芯片中试线建造以来，聚集“研制-验证-量产”一体化布局，历时不到两年完结中试渠道全流程贯穿。

  2024年9月，中试线正式启用，具有从芯片规划、加工、封装、测验到体系集成的全链条才能。

  而此次首片晶圆成功下线，标志着该中试渠道正式具有高功能光子芯片的规模化制作才能，为国产高端光子器材技能打通工业化通道。

  薄膜铌酸锂（LiNbO3）作为当时最具潜力的光电资料之一，凭仗超快电光效应、高带宽、低功耗等优势，在5G通讯、光互连、量子核算等前沿范畴备受重视。

  但是，因为资料自身脆性大，完结大标准晶圆制备及量产工艺长时间面对三大技能应战：纳米级加工精度操控、薄膜堆积均匀性保证以及刻蚀速率一致性调控。

  为霸占上述难题，CHIPX依托国内首条光子芯片中试线余台世界先进CMOS工艺设备，掩盖光刻、薄膜堆积、等离子刻蚀、湿法腐蚀、晶圆切开、量测检测及封装测验等全流程。团队经过自主开发芯片规划与工艺体系协同适配技能，成功打通从图形化光刻、薄膜堆积、精细刻蚀到封装测验的全流程，初次在国内完结晶圆级光子芯片工艺闭环整合，获得要害技能打破。

  在中试渠道先进设备支撑下，CHIPX工艺团队经过大规模工艺验证与快速迭代，构建起适用于6英寸薄膜铌酸锂晶圆的高精度波导制作工艺：使用深紫外（DUV）光刻与高精度刻蚀组合，成功完结110nm级波导结构；经过步进式（i-line）光刻，在波导与高功能电极结构之间完结跨标准集成，工艺良率与稳定性达世界尖端水准。

  与此一起，团队选用“资料—器材”协同规划战略，在保证芯片高集成度的一起，显着进步调制器要害功能，完结多个技能维度的重大打破：

  插入损耗低于3.5dB，波导损耗低于0.2dB/cm，大幅度的进步光信号传输功率；

  上述目标均到达或超越世界同种类型的产品领先水平，标志着我国在该中心光子器材范畴完结“从0到1”的自主立异，跻身世界榜首队伍。

  现在，该中试渠道已具有年产约12,000片晶圆的产能，能够为工业合作伙伴供给“低成本、快迭代、可量产”的端到端解决方案。

  未来，研究院将依托中试渠道，与国表里上下游企业、高校、科研机构深度协同，构建集规划、验证、出产、封测于一体的光子芯片生态体系，加速5G通讯、AI算力网络、量子信息等范畴的技能转化与使用落地。

  研究院相关担任这个的人说，本次晶圆下线不只是中试渠道阶段性效果的集中体现，更是我国高端光电子制作才能走向世界化的要害一跃。

  跟着人工智能、云核算、边际算力与通讯网络对数据吞吐才能的需求激增，传统电子芯片面对速度和能耗瓶颈，光子芯片以其超高速、低推迟、强兼容等优势，正成为下一代信息处理技能的重要打破口。而薄膜铌酸锂调制器芯片作为要害器材之一，其功能好坏直接决议光子芯片体系的全体体现。

  此次CHIPX完结首片6英寸晶圆下线并发动量产，不只填补了国内高功能薄膜铌酸锂器材制作空白，更是我国在“硬科技”范畴完结原始立异的重要效果。

  未来，随技能进一步老练与产品继续迭代，CHIPX有望在全球光子芯片工业中占有中心竞赛位置，助力我国“芯”走向更高舞台。